Peneliti : Soewanto Rahardjo dan Frank Edwin
Abstrak :
Komposit boron nitrida merupakan material baru yang banyak dikembangkan dibeberapa negara maju dalam bentuk campuran SiC/BN, TiB2/BN, Si3N4/BN, AlN/BN. Komposit ini dapat digunakan sebagai bahan keramik elektronik, keramik alat otomotif dan keramik teknik lainnya. Senyawa ini memiliki sifat unggul yaitu konstanta dielektrik yang rendah sebesar 4,2, koefisien thermal expansion yang rendah sebesar 1,2 (in / in / oC x 10-6). Sintesa komposit boron nitrida, dilakukan dengan pereaksian BN dengan Silikon Karbida (SiC) didalam tungku kedap udara yang dialiri gas nitrogen pada suhu 1200 oC untuk kemudian mineral yang terbentuk diuji dengan alat difraksi sinar–X, mikrostrukturnya diamati menggunakan alat SEM, juga dilakukan uji sifat fisik dan sifat elektrik untuk kemudian dibandingkan dengan standar. Sebelum melakukan sintesa, pembentukan komposit BN ini dimonitor dengan melihat reaksi endoterm dan eksotermnya melalui alat DTA. Hasil sintesa komposit BN yang optimal dilakukan dengan penggabungan BN dengan SiC, dengan ratio komposisi BN : SiC = 25 : 75 (% berat). Kekerasan komposit BN-SiC dapat tercapai pada angka 6 (skala Mohs) pada suhu pembakaran 1200oC dengan pengembangan sebesar 0,68 %. Untuk uji sifat elektrik, diperoleh volume resistivity yang optimal mendekati standar sebesar 1,50 × 106 W cm. Hasil analisis mikro struktur komposit BN-SiC menggunakan alat SEM, memperlihatkan adanya pertumbuhan fasa kristalin tunggal Boron Nitrida (h-BN) heksagonal dalam matriks Silikon Karbida (SiC) yang menunjukkan telah terbentuknya komposit BN-SiC.
Kata Kunci : Komposit, BN/SiC, Keramik Elektronik
Link Download : Form Permintaan JKGI